K4B4G1646E-BCMA vs K4B4G1646F-BYK0 对比

详细并排对比 K4B4G1646E-BCMA 出自 Samsung Electronics 和 K4B4G1646F-BYK0 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ 量产中
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K4B4G1646F-BYK0 K4B4G1646F-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYK0 ✓ 量产中

规格对比

参数 K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646F-BYK0
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $3.77 $1.80
存储器类型 DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
存储组织 256M x 16 —
Clock / Data Rate 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin —
电源电压 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) 1.35V / 1.5V
工作温度 0C to +95C 0°C to 95°C (TC)
封装 FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) 96-ball FBGA
Operating Supply Current (IDD) 55 mA —
Standby Current 2 mA —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT supported —
ZQ Calibration Yes Yes
Data Mask Function Yes —
安装类型 Surface Mount (BGA) —
RoHS 状态 Compliant —
存储容量 — 4 Gb
Memory Organization — 256M x 16
数据速率 — 1866 Mbps
Clock Frequency — 933 MHz
接口 — Parallel
Burst Length — 8 and 4
CAS 延迟 — Programmable
On-Die Termination — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

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