MT40A1G8SA-075:E vs YZ48G08V-F9HPI-M 对比

详细并排对比 MT40A1G8SA-075:E 出自 Micron Technology 和 YZ48G08V-F9HPI-M 出自 Loongtion。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ 量产中
Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ 量产中

规格对比

参数 MT40A1G8SA-075:E YZ48G08V-F9HPI-M
品牌 Micron Technology Loongtion
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.30 $7.20
存储器类型 SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
存储容量 8Gbit (1G x 8) —
接口 Parallel Parallel
Clock Frequency 1.33 GHz —
数据速率 2666 MT/s 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
工作温度范围 0°C to +95°C -40°C to +85°C
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
封装 78-FBGA (7.5x11 mm) —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
Write Leveling Supported —
Dynamic On-Chip Termination Supported —
CRC Function Supported —
Data Mask Function Supported —
RoHS 状态 Compliant Compliant
Density — 8 Gb
存储组织 — 1G x 8
电源电压 — 1.2 V
Package Type — FBGA78
CAS 延迟 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — Not Applicable

数据手册与资源

浏览全部产品 创建 BOM 获取报价