MT41K256M16HA-107:E vs H5TQ4G63AFR-H9C 对比

详细并排对比 MT41K256M16HA-107:E 出自 Micron Technology 和 H5TQ4G63AFR-H9C 出自 SK hynix。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E ✓ 量产中
SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16HA-107:E H5TQ4G63AFR-H9C
品牌 Micron Technology SK hynix
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $5.00 $6.50
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
存储容量 4Gbit (256M x 16) —
Clock Frequency 933 MHz —
Access Time 20 ns —
电源电压 1.35V 1.5 V
封装 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball TFBGA
安装类型 Surface Mount Surface Mount
工作温度 0°C to 95°C (Tc) —
接口 Parallel —
数据速率 1866 MT/s 3.9 Gbps per pin (approx)
RoHS 状态 Compliant —
Lead-Free Yes —
引脚数 96 —
存储组织 256M x 16 256M x 16
CAS 延迟 13 (typical) —
Density — 4 Gb
Clock Speed (tCK) — 0.255 ns
Package Shape — RECTANGULAR
Refresh Cycles — 8192
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
RoHS — Compliant
无卤 — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

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