MT41K256M16HA-107AAT:E vs MT41K256M16HA-125:E 对比

详细并排对比 MT41K256M16HA-107AAT:E 出自 Micron Technology 和 MT41K256M16HA-125:E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-125:E
品牌 Micron Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $5.95 $3.10
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
存储容量 4Gbit (256M x 16) —
数据速率 933 MHz (DDR3L-1866) —
Access Time 20 ns —
电源电压 1.35V —
接口 Parallel —
封装 96-FBGA (9x14mm) 96-FBGA (9x14 mm)
工作温度 0°C to +95°C (Tc) —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 状态 Compliant Compliant
存储组织 256M x 16 256M x 16
CAS 延迟 13 (typical) 13.75 ns
Burst Length 8, 4 —
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
Density — 4 Gbit
Clock Frequency — 800 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (DDR3L)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35 V
引脚数 — 96
工作温度范围 — 0°C to +95°C (TC)
Lead-Free — Yes
数据总线宽度 — 16 bits
Logic Family — CMOS

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