NT6AN8T0SA vs W634GU6RB12I 对比
详细并排对比 NT6AN8T0SA 出自 Nanya Technology 和 W634GU6RB12I 出自 Winbond。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
规格对比
| 参数 | NT6AN8T0SA | W634GU6RB12I |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Winbond |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $2.88 | $5.60 |
| 存储器类型 | LPDDR2 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| 存储组织 | 64M x 32 | 256M x 16 |
| 电源电压 | 1.2V | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| 数据速率 | 1066 Mbps (533 MHz) | 800 MHz (DDR3L-1600) |
| 工作温度范围 | -30°C to +85°C | — |
| 封装 | FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| 安装类型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 状态 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | 8 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| 存储容量 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 20 ns |
| 工作温度 | — | -40°C to +95°C (TCASE) |
| 接口 | — | Parallel |
| 无卤 | — | Yes |
| Speed Grade | — | -12I (DDR3L-1600 11-11-11) |
| CAS 延迟 | — | 11 |