W634GU6RB12I vs MT41K256M16HA-125IT:E 对比
详细并排对比 W634GU6RB12I 出自 Winbond 和 MT41K256M16HA-125IT:E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125IT:E ✓ 量产中规格对比
| 参数 | W634GU6RB12I | MT41K256M16HA-125IT:E |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | Micron Technology |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $5.60 | $4.50 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 数据速率 | 800 MHz (DDR3L-1600) | DDR3L-1600 |
| 电源电压 | 1.35V | 1.35 V |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| 封装 | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| 工作温度 | -40°C to +95°C (TCASE) | -40°C to +95°C |
| 接口 | Parallel | Parallel |
| 安装类型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 状态 | Compliant | Compliant |
| 无卤 | Yes | — |
| Speed Grade | -12I (DDR3L-1600 11-11-11) | — |
| 存储组织 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS 延迟 | 11 | 13.75 ns |
| Burst Length | 8 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Speed | — | 800 MHz |
| 引脚数 | — | 96 |
| Logic Family | — | CMOS |
| Lead Free | — | Yes |