10AX115H2F34E2SG vs 10AX115N3F40E2SG مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 10AX115H2F34E2SG بواسطة Intel و 10AX115N3F40E2SG بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 10AX115H2F34E2SG | 10AX115N3F40E2SG |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Series | Arria 10 GX | — |
| Logic Elements (LE) | 1,150,000 | 1,150,000 |
| Adaptive Logic Modules (ALM) | 427,200 | — |
| Embedded Memory (M20K blocks) | 2,713 blocks / 68,857,600 bits | — |
| User I/O Pins | 504 | — |
| Transceivers | 24 channels up to 14.1 Gbps | — |
| PCIe Hard IP | Gen3 x4 / Gen2 x8 | PCIe Gen3 (hard IP) |
| Hard Processor System | Dual-core ARM Cortex-A9 MPCore | — |
| DSP Blocks | Hardened IEEE 754 single/double-precision floating-point | Variable-precision DSP |
| 18x19 Multipliers | 2,150 | — |
| PLLs | Fractional, up to 24 | — |
| Memory Interfaces | DDR4 up to 1,600 Mbps, DDR3, QDRII+, RLDRAM3 | — |
| العلبة | 1152-ball FCBGA (F34) 35x35 mm | 1517-ball FCBGA (F40) |
| Speed/Operating Temperature Grade | -2 / 0 C to 100 C (E2 = industrial, enhanced) | — |
| Process Node | 20 nm Tri-Gate (Intel) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Family | — | Arria 10 GX |
| Process Technology | — | TSMC 20 nm |
| Core Voltage | — | 0.9 V |
| Embedded Memory | — | 68,857,856 bits (approximately 68.85 Mbit) |
| Transceiver Count | — | 600 |
| Maximum Transceiver Data Rate | — | 17.4 Gbps |
| Hard Memory Controllers | — | Yes (DDR4 support) |
| Package Code | — | BGA / FCBGA |
| Operating Temperature Grade | — | E2 (Enhanced, -40C to +100C) |
| Configuration Memory Technology | — | SRAM-based (volatile, requires external boot flash) |
| Recommended Toolchain | — | Intel Quartus Prime |