1ED020I12B2XUMA1 vs 1ED44175N01BXTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED020I12B2XUMA1 بواسطة Infineon و 1ED44175N01BXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED020I12B2XUMA1 1ED44175N01BXTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) —
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms —
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns —
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
العلبة PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-SOT23-6-3 (6-lead)
Creepage Distance 8 mm —
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Compliance RoHS compliant —
الوظيفة — Low-side gate driver
Gate Type — IGBT, MOSFET (single-channel)
Configuration — Non-inverting
Output Current (Source/Sink) — 2.6 A typical
Supply Voltage Range — Up to 25 V
Logic Input Compatibility — CMOS, LSTTL
Over-Current Protection (OCP) — Integrated (OCP pin)
FAULT Output — Yes (status reporting)
دبوس التمكين — Yes
Rise/Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time ns]
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology — CMOS (latch-up immune)
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر