1ED3122MC12HXUMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3122MC12HXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDN7534RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED3122MC12HXUMA1 2EDN7534RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) —
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 2
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40C to +125C
العلبة PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-TSSOP-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 1 (unlimited)
حالة RoHS Compliant Compliant
الوظيفة — Low-side gate driver
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
تكوين الخرج — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر