1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3122MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1ED3124MC12HXUMA1 | 1ED3122MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Channel Type | Single-channel | — |
| Configuration | High-side / Low-side (non-inverting) | High-side, non-inverting |
| Number of Drivers | 1 | — |
| عدد المخارج | 1 | — |
| Peak Source Current | 13.5 A | — |
| Peak Sink Current | 14 A | — |
| Isolation Technology | Magnetic coupling (coreless transformer) | Coreless Transformer (CT) |
| Isolation Voltage (RMS) | 5.7 kV | — |
| Transient Overvoltage | 8000 Vpk | — |
| Supply Voltage (VCC2) | 10.5 V to 35 V | — |
| Supply Current (Max) | 1.1 mA | — |
| Propagation Delay (Typ) | 90 ns | — |
| زمن الصعود | 15 ns | — |
| زمن السقوط | 30 ns | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| العلبة | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Protections | UVLO, Short-Circuit (DESAT) | — |
| Target Devices | IGBT, SiC MOSFET | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Type | — | Isolated Gate Driver (single-channel) |
| Isolation Voltage (Vrms) | — | 5.7 kVrms |
| Maximum Transient Isolation (Vpk) | — | 8 kVpk |
| Output Current (source / sink) | — | 10 A / 9 A |
| Number of Channels | — | 1 |
| Supply Voltage (VCC / VBS) | — | 8 V to 35 V |
| Propagation Delay (typ.) | — | 30 ns |
| Rise Time / Fall Time (typ.) | — | 15 ns / 30 ns |
| Miller Clamp | — | Active (integrated) |
| Short-Circuit Clamping | — | Yes |
| UVLO | — | Primary and secondary side |
| مستوى MSL | — | 2 |