1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3124MC12HXUMA1 מאת Infineon ו 1ED3122MC12HXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ פעיל
Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3124MC12HXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) High-side, non-inverting
Number of Drivers 1 —
מספר יציאות 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
זמן עלייה 15 ns —
זמן ירידה 30 ns —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
מארז PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Type — Isolated Gate Driver (single-channel)
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Propagation Delay (typ.) — 30 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Miller Clamp — Active (integrated)
Short-Circuit Clamping — Yes
UVLO — Primary and secondary side
רמת MSL — 2

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר