1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED3142MU12FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3142MU12FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED3124MC12HXUMA1 1ED3142MU12FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
عدد المخارج 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
زمن الصعود 15 ns —
زمن السقوط 30 ns —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Type — Galvanically Isolated Gate Driver IC
Number of Channels — 1
Peak Source/Sink Output Current — 6.5 A (typical)
Isolation Voltage (DigiKey rating) — 3000 Vrms
Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) — 2300 V
Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) — [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max]
Input Supply Voltage (VCC1) — [DATA_NEEDED: value]
Propagation Delay (typical) — 42 ns
Target Power Switches — SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: junction/ambient range]
Protection Features — UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection
Output Stage — Separate source/sink pins, totem-pole
Family — Infineon EiceDRIVER 1ED31xx

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر