1ED3890MC12MXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3890MC12MXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3142MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED3890MC12MXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms —
Peak Output Current (Source/Sink) ±9 A —
Number of Channels 1 1
تكوين الخرج High-Side Non-Inverting —
العلبة PG-DSO-16-28 (16-pin wide-body DSO) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
نوع التركيب Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) Coreless transformer (galvanic)
Configurable Interface I2C (DESAT, UVLO, drive voltage) —
Protection Features DESAT short-circuit, Active Miller clamp, Soft Turn-Off (STO), UVLO —
Target Power Devices IGBT, SiC MOSFET, MOSFET —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) [DATA_NEEDED: CMTI rating] —
Supply Voltage (VCC side) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Output Drive Voltage (VOUT) [DATA_NEEDED: VOUT range] —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Voltage — 3000 Vrms
عدد المخارج — 2 (separate source/sink)
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر