1ED44176N01FXUMA1 vs IRS2110SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED44176N01FXUMA1 بواسطة Infineon و IRS2110SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED44176N01FXUMA1 IRS2110SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN —
Configuration Non-inverting, single-channel, low-side —
Number of Channels 1 —
Input Compatibility CMOS, TTL —
VCC Supply Voltage Range 4.5 V to 25 V —
Peak Source Current (typ.) 0.8 A —
Peak Sink Current (typ.) 1.75 A —
Propagation Delay (typ.) 50 ns 120 ns
OCP Threshold Tolerance ±5% —
OCP Reference 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing) —
Enable Input Yes (EN, active-high) —
Fault Output Yes (FAULT, open-drain) —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8) 16-SOIC (SOIC-16 W)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Family EiceDRIVER —
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 3
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
تكوين الخرج — Non-Inverting
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Rise Time (typ.) — 25 ns
Fall Time (typ.) — 17 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS with hysteresis
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر