1EDB7275FXUMA1 vs 1EDI60N12AFXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDB7275FXUMA1 بواسطة Infineon و 1EDI60N12AFXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDB7275FXUMA1 1EDI60N12AFXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Single-channel isolated gate driver IC —
Topology Supported High-side / low-side, half-bridge (with two parts) —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) magnetic coupling —
Isolation Voltage (Viso) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns (minimum) —
Peak Source Output Current 5.4 A (typical) —
Peak Sink Output Current 9.8 A (typical) —
Propagation Delay +6 / -4 ns (typical, see datasheet family) —
Supported Switch Technologies Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT —
العلبة PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin) PG-DSO-8-51 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: full operating temperature range] —
UVLO Protection Yes (secondary side) —
Marking Code 1B7275A —
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Single high-side, galvanically isolated
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic (coreless transformer)
Isolation Voltage — 1200 V working voltage
Maximum Output Voltage — 40 V
Source Current (typ.) — 10 A
Sink Current (typ.) — 9.4 A
Supply Voltage (VDD) — 3.1 V to 17 V
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS/TTL
Creepage Distance (min.) — 4 mm
Short-Circuit Clamping — Yes (separate sink/source outputs)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر