1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7512GXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7511BXUSA1 بواسطة Infineon و 1EDN7512GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7511BXUSA1 1EDN7512GXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
عدد المخارج 1 1
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
زمن الصعود [DATA_NEEDED: rise time ns] [DATA_NEEDED: typical tr]
زمن السقوط 4.5 ns [DATA_NEEDED: typical tf]
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
جهد التغذية التشغيلي [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C -40 C to +125 C
العلبة PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
الوظيفة — Low-side gate driver, single channel
Logic Inputs — Inverting and Non-Inverting
Propagation Delay (typical) — 19 ns
نطاق جهد الدخل — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Robustness (negative) — -10 V
UVLO — [DATA_NEEDED: UVLO threshold]
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر