1EDN7512GXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7512GXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDN7534RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7512GXTMA1 2EDN7534RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Low-side gate driver, single channel Low-side gate driver
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
عدد المخارج 1 —
Logic Inputs Inverting and Non-Inverting —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
نطاق جهد الدخل [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Robustness (negative) -10 V —
زمن الصعود [DATA_NEEDED: typical tr] —
زمن السقوط [DATA_NEEDED: typical tf] —
UVLO [DATA_NEEDED: UVLO threshold] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) PG-TSSOP-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
تكوين الخرج — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر