1EDN7550BXTSA1 vs 1ED44173N01BXTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7550BXTSA1 بواسطة Infineon و 1ED44173N01BXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
1ED44173N01BXTSA1 1ED44173N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side Gate Driver | Infineon

1ED44173N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side Gate Driver | Infineon

1ED44173N01BXTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7550BXTSA1 1ED44173N01BXTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes Yes
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 °C to +150 °C —
العلبة PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-SOT23-6-3 (6-pin)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Type — Low-Side MOSFET Gate Driver
Number of Channels — 1
Configuration — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 25 V
Output Current (Source) — 2.6 A typical
Output Current (Sink) — 2.6 A typical
زمن الصعود — [DATA_NEEDED: rise time]
زمن السقوط — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay — < 100 ns typical
تيار السكون — 0.4 mA typical
Over-Current Protection — Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold)
Fault Reporting — Yes (open-drain FAULT pin)
دبوس التمكين — Yes
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر