27C512-25-X vs 27C512-25 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 27C512-25-X بواسطة Fujitsu و 27C512-25 بواسطة Microchip Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Microchip Technology
27C512-25 27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل 27C512-25-X 27C512-25
العلامة التجارية Fujitsu Microchip Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة Obsolete Obsolete
حجم الذاكرة 512 Kbit (64K x 8) —
التنظيم 65,536 words x 8 bits —
نوع الذاكرة UV EPROM CMOS EPROM (UV / OTP)
Access Time 250 ns —
Supply Voltage (Read) 5 V +/- 10% —
Technology CMOS CMOS floating gate
الواجهة Parallel —
Address Lines 15 (A0-A14) —
Data Lines 8 (D0-D7), 3-state outputs —
Control Signals /CE (chip enable), /OE (output enable), /PGM (program) —
Programming Voltage [DATA_NEEDED: VPP programming voltage] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Active Current [DATA_NEEDED: active current] —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة 28-pin DIP (windowed ceramic or plastic OTP variant per suffix) DIP-28
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Pinout JEDEC-approved 27C512 pinout —
حالة RoHS unknown (legacy non-RoHS-era part) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Organization — 64K x 8 (524,288 bits)
Maximum Access Time — 250 ns
Supply Voltage (Read Mode) — 5 V +/- 10%
Standby Current (CMOS) — 20 uA typical
Operating Mode — Asynchronous
نوع الخرج — 3-state, common I/O
Pinout Standard — JEDEC-approved 28-pin
Programming Method — High-voltage EPROM programming (Flashrite type)
Erase Method — UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant)
Access Time Guarantee — Any byte in less than 250 ns

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر