2ED2183S06FXUMA1 vs 2EDN7534FXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2183S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDN7534FXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED2183S06FXUMA1 2EDN7534FXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Half-Bridge Gate Driver Low-Side, Dual Channel
Number of Drivers 1 2
عدد المخارج 1 (half-bridge: high-side + low-side) —
Configuration High Side, Low Side, Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 650 V —
Output Current (Sink/Source) 2.5 A typical —
زمن الصعود 15 ns —
زمن السقوط 15 ns —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (typ.) —
Logic Input Voltage 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) —
Input Type Non-Inverting —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) VCC and VBS —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40C to +125C
العلبة PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 —
Terminal Finish Tin (e3 per JESD-609) —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Input Voltage Range (logic pins) — -12 V to +22 V (absolute max)
Propagation Delay (typical) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Output Polarity — Non-Inverting
Output Voltage Clamping — Active, to VDD
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: channel skew]
Under-Voltage Lockout — Yes
دبوس التمكين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر