2EDL5013U2DXTMA1 vs IRS2110SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL5013U2DXTMA1 بواسطة Infineon و IRS2110SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL5013U2DXTMA1 IRS2110SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 3 A —
تكوين الخرج Non-Inverting Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns 25 ns
Fall Time (typ.) 3.5 ns 17 ns
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated —
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 C to +125 C
العلبة PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) 16-SOIC (SOIC-16 W)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS with hysteresis
مستوى MSL — 3

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر