2EDL8124GXUMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8124GXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8033G4BXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8124GXUMA1 2EDL8033G4BXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Input Type Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis Independent HS and LS
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Bootstrap Supply (VBS) Maximum 120 V —
VCC Supply Range [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range] —
Isolation Type Junction isolation (JI) Junction-isolated (non-galvanic)
Bootstrap Diode Integrated —
Propagation Delay (typical) < 50 ns —
Delay Matching Between Channels [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns] —
UVLO Present on VCC and VBS —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range in C] —
العلبة PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad PG-VDSON-8-5
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
البنية الطوبولوجية — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Number of Channels — 2 (HS + LS)
Input Logic Compatibility — TTL
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
Marking Code — 2ED8033G4B

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر