2EDL8124GXUMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL8124GXUMA1 מאת Infineon ו 2EDL8033G4BXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL8124GXUMA1 2EDL8033G4BXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Input Type Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis Independent HS and LS
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Bootstrap Supply (VBS) Maximum 120 V —
VCC Supply Range [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range] —
Isolation Type Junction isolation (JI) Junction-isolated (non-galvanic)
Bootstrap Diode Integrated —
Propagation Delay (typical) < 50 ns —
Delay Matching Between Channels [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns] —
UVLO Present on VCC and VBS —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range in C] —
מארז PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad PG-VDSON-8-5
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
טופולוגיה — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Number of Channels — 2 (HS + LS)
Input Logic Compatibility — TTL
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
Marking Code — 2ED8033G4B

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר