2EDN7524GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7524GXTMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7126GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDN7524GXTMA1 1EDN7126GXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Low-side gate driver IC —
Number of Channels 2 (dual) —
Drive Current (Source/Sink) 5 A peak —
Input Logic Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible —
Input Voltage Tolerance -10 V to +20 V on logic pins —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] —
Propagation Delay 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure] —
Channel-to-Channel Delay Matching 1 ns —
زمن الصعود 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] —
زمن السقوط 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] —
Output Stage Rail-to-rail, separate source/sink —
UVLO Protection Yes —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad PG-VSON-10-4
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Target Devices Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs —
الوظيفة — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر