2EDN7534FXTMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7534FXTMA1 بواسطة Infineon و 2ED2183S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDN7534FXTMA1 2ED2183S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Low-Side, Dual Channel Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers 2 1
Peak Output Current 5 A (source/sink) —
Supply Voltage (VDD) 4.5 V to 20 V —
Input Voltage Range (logic pins) -12 V to +22 V (absolute max) —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Output Polarity Non-Inverting —
Output Voltage Clamping Active, to VDD —
Rise Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Channel-to-Channel Skew [DATA_NEEDED: channel skew] —
Under-Voltage Lockout Yes —
دبوس التمكين Yes —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 C to +125 C
العلبة PG-DSO-8 PG-DSO-8-53 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
عدد المخارج — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
مستوى MSL — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر