2EDN7534RXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7534RXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8033G4CXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDN7534RXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
تكوين الخرج Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-TSSOP-8 PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
عدد المخارج — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر