2EP101RXTMA1 vs 2EP100RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EP101RXTMA1 بواسطة Infineon و 2EP100RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EP101RXTMA1 2EP100RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
البنية الطوبولوجية Full-bridge (H-bridge) with external transformer Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Supply Voltage Range 5 V to 20 V —
Maximum Output Power 5 W —
Switching Frequency Option 1 50 kHz —
Switching Frequency Option 2 65 kHz —
Duty Cycle Option 1 12% —
Duty Cycle Option 2 17% —
عدد المخارج 1 (full-bridge differential primary) —
العلبة PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Primary Application Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply —
RoHS Compliance Compliant —
Delivery Form Tape and Reel (XT suffix) —
Output Power (max) — 5 W
Supply Voltage (max) — 20 V
Supply Voltage (min, typical) — [DATA_NEEDED: min supply voltage]
تردد التبديل — Programmable via external resistor
Dead Time — Configurable
تكوين الخرج — Drives external center-tapped transformer
بدء التشغيل الناعم — Built-in
Enable / Shutdown — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Built-in
الإيقاف الحراري — Built-in
Short-Circuit Protection — Built-in (primary-side current limit)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS — Compliant
Target Applications — Isolated gate driver supplies, isolated DC-DC converters

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر