2EP130RXTMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EP130RXTMA1 بواسطة Infineon و 1EBN1001AEXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EP130RXTMA1 1EBN1001AEXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Part Number 2EP130RXTMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Full-bridge transformer driver PMIC Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
البنية الطوبولوجية Full-bridge (H-bridge), 2 outputs —
Supply Voltage Range 4.5 V to 20 V —
Output Power (typical) 5 W —
Switching Frequency Range 50 kHz to 695 kHz —
Duty Cycle Range 10 % to 50 % —
عدد المخارج 2 (push-pull complementary) 2 (separate source and sink paths)
العلبة PG-TSSOP-8 with exposed pad PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
عدد الأطراف 8 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
بدء التشغيل الناعم Yes —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Short-Circuit Protection Yes —
Over-Current Protection Yes —
Over-Temperature Protection Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
Configuration — High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +125 °C (automotive grade)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر