6EDL04N03PRXUMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 6EDL04N03PRXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8033G4CXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 6EDL04N03PRXUMA1 2EDL8033G4CXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Three-phase gate driver (6-channel half-bridge) —
Number of Drivers 6 —
تكوين الخرج Non-inverting half-bridge —
Supply Voltage (VDD) 10 V to 25 V —
Logic Supply Voltage (VSS) 3.3 V / 5 V —
Output Current (Source) 0.24 A —
Output Current (Sink) 0.375 A —
زمن الصعود 60 ns (typical at 1 nF load) —
زمن السقوط 26 ns (typical at 1 nF load) —
Bootstrap Diode Integrated (3 channels) —
Over-Current Protection Yes (adjustable threshold via ITRIP) —
Fault Output Yes (open-drain) —
دبوس التمكين Yes (EN, active-high) —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay] —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-TSSOP-25 PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 3 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Blocking Voltage 200 V / 600 V family —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
عدد المخارج — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر