AT21CS01-STUM-T vs AT21CS01-STUM10-T مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AT21CS01-STUM-T بواسطة Microchip Technology و AT21CS01-STUM10-T بواسطة Microchip Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Microchip Technology
AT21CS01-STUM-T - 1Kbit Single-Wire Serial EEPROM | Microchip
AT21CS01-STUM-T ✓ نشطMicrochip Technology
AT21CS01-STUM10-T - 1Kb Single-Wire EEPROM, SOT-23-3 | Microchip
AT21CS01-STUM10-T ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | AT21CS01-STUM-T | AT21CS01-STUM10-T |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Microchip Technology | Microchip Technology |
| الفئة | EEPROM | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Non-volatile EEPROM (Serial) | EEPROM (Non-Volatile) |
| حجم الذاكرة | 1 Kbit (128 x 8 bits) | 1 Kbit (128 x 8) |
| التنظيم | 128 words x 8 bits | 128 x 8 |
| Bus Interface | Single-Wire (SI/O) Serial | — |
| Operating Voltage Range | 1.7 V to 3.6 V | — |
| Standard-Speed Bit Rate | 15.4 kbps max (AT21CS01 only) | — |
| High-Speed Bit Rate | 125 kbps max | — |
| Write Cycle Support | 8-byte page write or single-byte write | — |
| Write Endurance | >1,000,000 cycles per location | >1,000,000 cycles per location |
| Unique Serial Number | 64-bit factory-programmed | — |
| Discovery Response | Yes (quick device detection) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 C to +85 C | — |
| العلبة | SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) | SOT-23-3 (TO-236-3 / SC-59) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Scheme | Parasitic (powered via SI/O pin) | — |
| External Pins Required | 2 (SI/O and GND) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| الواجهة | — | Single-Wire (I2C-compatible protocol structure) |
| Serial Number | — | Factory-programmed 64-bit unique ID |
| Clock Frequency (Standard Mode) | — | 15.4 kbps |
| Clock Frequency (High Speed) | — | 125 kbps |
| جهد التغذية | — | 1.7 V to 3.6 V |
| Write Cycle Time (Word/Page) | — | 5 ms max (self-timed) |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +85 C (Industrial) |
| عدد الدبابيس | — | 3 |
| Pin Configuration | — | SI/O (data + parasitic power), GND, NC |