AUIRS21271STR vs IRS21271STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AUIRS21271STR بواسطة Infineon و IRS21271STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل AUIRS21271STR IRS21271STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type High-Side Gate Driver —
Configuration Non-Inverting —
Number of Channels 1 1
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V 600 V
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Current (Source/Sink) 290 mA / 290 mA (typ) —
زمن الصعود 80 ns (typ) —
زمن السقوط 40 ns (typ) —
Propagation Delay 175 ns (typ) —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature] -40C to +125C
العلبة 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Grade AEC-Q100 Qualified —
Over-Current Protection Yes (integrated CS comparator) —
حالة RoHS Compliant —
الوظيفة — High-Side Gate Driver with Current Sense and Fault Output
Input Type — Non-Inverting
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V (automotive VBS range)
VCC Supply Voltage — 12 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
Logic Input Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.3 V
Current Sense Comparator — Integrated (CS pin with reference)
Fault Output — Yes (open-drain FAULT pin)
Floating Channel Transient Immunity — Negative VS transient tolerant, dV/dt immune
مستوى MSL — MSL 3
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر