BFU520 vs BFU520A مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BFU520 بواسطة NXP Semiconductors و BFU520A بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
BFU520 BFU520 - NPN Wideband RF Transistor 2GHz | NXP Semiconductors

BFU520 - NPN Wideband RF Transistor 2GHz | NXP Semiconductors

BFU520 ✗ انتهى عمره الإنتاجي
NXP Semiconductors
BFU520A BFU520A - NPN Wideband RF Transistor SOT23 | NXP

BFU520A - NPN Wideband RF Transistor SOT23 | NXP

BFU520A ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BFU520 BFU520A
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي نشط
Polarity NPN NPN
Technology Silicon wideband RF bipolar transistor —
العلبة SOT143B (4-pin, dual-emitter, plastic) SOT23 (TO-236-3), 3-pin plastic
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 12 V —
Collector Current (IC max) 30 mA —
Total Power Dissipation 450 mW —
Application Frequency Range up to 2 GHz —
Product Family BFU5 series BFU5 family
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Noise Performance Optimized for low-noise applications —
تردد الانتقال (ft) [DATA_NEEDED: transition frequency] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range] —
Noise Figure (NF) [DATA_NEEDED: noise figure at bias] —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
نوع الترانزستور — NPN silicon wideband RF transistor
Maximum Operating Frequency — up to 2 GHz
Qualification — AEC-Q101 qualified
Application Class — High speed, low noise; small signal to medium power
جهد المجمع-الباعث (Vceo) — [DATA_NEEDED: VCEO]
تيار المجمّع (Ic) — [DATA_NEEDED: IC max]
تردد الانتقال (ft) — [DATA_NEEDED: fT]
Noise Figure NF — [DATA_NEEDED: noise figure]
Gain (S21/Gp) — [DATA_NEEDED: gain]
تبديد القدرة (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر