BFU520 vs BFU520XR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BFU520 بواسطة NXP Semiconductors و BFU520XR بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
BFU520 BFU520 - NPN Wideband RF Transistor 2GHz | NXP Semiconductors

BFU520 - NPN Wideband RF Transistor 2GHz | NXP Semiconductors

BFU520 ✗ انتهى عمره الإنتاجي
NXP Semiconductors
BFU520XR BFU520XR - NPN RF Transistor 2GHz SOT143R | NXP

BFU520XR - NPN RF Transistor 2GHz SOT143R | NXP

BFU520XR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BFU520 BFU520XR
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي نشط
Polarity NPN NPN
Technology Silicon wideband RF bipolar transistor Silicon wideband RF BJT
العلبة SOT143B (4-pin, dual-emitter, plastic) SOT143R (4-pin, plastic, dual emitter)
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 12 V —
Collector Current (IC max) 30 mA —
Total Power Dissipation 450 mW —
Application Frequency Range up to 2 GHz —
Product Family BFU5 series —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Noise Performance Optimized for low-noise applications —
تردد الانتقال (ft) [DATA_NEEDED: transition frequency] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range] —
Noise Figure (NF) [DATA_NEEDED: noise figure at bias] —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature]
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Family — BFU5
Maximum Operating Frequency — 2 GHz
Continuous Collector Current — 0.05 A (50 mA)
Application Band — L Band
Number of Elements — 1
Configuration — Single NPN, dual emitter pins
Typical Application — High speed, low noise amplification
جهد المجمع-الباعث (Vceo) — [DATA_NEEDED: VCEO]
تردد الانتقال (ft) — [DATA_NEEDED: fT]
Noise Figure NF — [DATA_NEEDED: NF]
Total Power Dissipation Ptot — [DATA_NEEDED: Ptot]
Ordering Suffix — XR

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر