BFU520 vs BFU520XR 비교

다음의 상세 나란히 비교: BFU520 제조: NXP Semiconductors 및 BFU520XR 제조: NXP Semiconductors. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

NXP Semiconductors
BFU520XR BFU520XR - NPN RF Transistor 2GHz SOT143R | NXP

BFU520XR - NPN RF Transistor 2GHz SOT143R | NXP

BFU520XR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BFU520 BFU520XR
브랜드 NXP Semiconductors NXP Semiconductors
카테고리 Transistors Transistors
수명 주기 상태 수명 종료 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.24 $0.23
Polarity NPN NPN
Technology Silicon wideband RF bipolar transistor Silicon wideband RF BJT
패키지 SOT143B (4-pin, dual-emitter, plastic) SOT143R (4-pin, plastic, dual emitter)
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) 12 V —
Collector Current (IC max) 30 mA —
Total Power Dissipation 450 mW —
Application Frequency Range up to 2 GHz —
Product Family BFU5 series —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Noise Performance Optimized for low-noise applications —
전이 주파수 (ft) [DATA_NEEDED: transition frequency] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range] —
Noise Figure (NF) [DATA_NEEDED: noise figure at bias] —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature]
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Family — BFU5
Maximum Operating Frequency — 2 GHz
Continuous Collector Current — 0.05 A (50 mA)
Application Band — L Band
Number of Elements — 1
Configuration — Single NPN, dual emitter pins
Typical Application — High speed, low noise amplification
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) — [DATA_NEEDED: VCEO]
전이 주파수 (ft) — [DATA_NEEDED: fT]
Noise Figure NF — [DATA_NEEDED: NF]
Total Power Dissipation Ptot — [DATA_NEEDED: Ptot]
Ordering Suffix — XR

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