BFU520R vs BFU520XR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BFU520R بواسطة NXP Semiconductors و BFU520XR بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BFU520R | BFU520XR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Transistors | Transistors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | NPN wideband silicon RF BJT | — |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | 12 V | — |
| Collector Current (IC max) | 30 mA | — |
| تردد الانتقال (ft) | 10.5 GHz | — |
| Total Power Dissipation | 450 mW | — |
| Frequency Range | up to 2 GHz application range | — |
| العلبة | SOT-143B (4-pin, dual-emitter, plastic) | SOT143R (4-pin, plastic, dual emitter) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Noise Performance | Low noise, high breakdown | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Family | BFU5 (BFU5x wideband silicon RF transistors) | BFU5 |
| Configuration | Single NPN, dual-emitter | Single NPN, dual emitter pins |
| Application Class | Small signal to medium power | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature] |
| Noise Figure | [DATA_NEEDED: noise figure in dB] | — |
| Gain | [DATA_NEEDED: gain] | — |
| Polarity | — | NPN |
| Technology | — | Silicon wideband RF BJT |
| Maximum Operating Frequency | — | 2 GHz |
| Continuous Collector Current | — | 0.05 A (50 mA) |
| Application Band | — | L Band |
| Number of Elements | — | 1 |
| Typical Application | — | High speed, low noise amplification |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | — | [DATA_NEEDED: VCEO] |
| تردد الانتقال (ft) | — | [DATA_NEEDED: fT] |
| Noise Figure NF | — | [DATA_NEEDED: NF] |
| Total Power Dissipation Ptot | — | [DATA_NEEDED: Ptot] |
| Ordering Suffix | — | XR |