BSC014N06NSATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC014N06NSATMA1 بواسطة Infineon و BSC016N06NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC014N06NSATMA1 | BSC016N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/- 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 30 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | 1.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.45 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 156 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C |
| العلبة | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) | OptiMOS™ 5 |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 60V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | — | 30 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.6 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 71 nC |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 139 W |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V |