BSC016N06NSATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC016N06NSATMA1 بواسطة Infineon و BSC016N06NSTATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC016N06NSATMA1 | BSC016N06NSTATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | 30 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.6 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 71 nC | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 139 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C | -55 C to +150 C |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (recommended) | 10 V | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | OptiMOS 5 |
| Part Number | — | BSC016N06NSTATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 31 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | — | 1.6 mOhm |
| Power Dissipation (Tc) | — | 167 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| Series | — | OptiMOS |