BSC016N06NSATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC016N06NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC016N06NSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSTATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C
প্যাকেজ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট