BSC019N04LSTATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC019N04LSTATMA1 بواسطة Infineon و BSC028N06NSTATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC019N04LSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C —
العلبة TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) 1
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Part Number Base — BSC028N06NS
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 100 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
خالٍ من الهالوجين — Yes
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر