BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC019N04NSGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC022N04LS6ATMA1 بواسطة Infineon و BSC019N04NSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC019N04NSGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| العلبة | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C (junction) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mΩ |
| RDS(on) typ at VGS=10V | — | 1.9 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 125 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C |