BSC023N08NS5SCATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC023N08NS5SCATMA1 بواسطة Infineon و ISC080N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC023N08NS5SCATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر