BSC023N08NS5SCATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC023N08NS5SCATMA1 disebabkan oleh Infineon dan ISC080N10NM6ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC023N08NS5SCATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +175 °C —
Kemasan PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
Gambaran Suhu Operasi — -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Aras MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Lead-Free — Yes
Boson Bebas — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga