BSC030N03LSGATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC030N03LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC076N06NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC030N03LSGATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 100 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C 23 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ 2.2 V —
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V 55 nC —
Output Charge (Qoss) 66 pF —
Input Capacitance (Ciss) Typ 4.3 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 69 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL 1 1 (unlimited)
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
Product Family — OptiMOS 3
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C
RoHS Compliance — Compliant
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product page)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر