BSC030N03LSGATMA1 vs BSC0906NSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC030N03LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC0906NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC030N03LSGATMA1 | BSC0906NSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C | 23 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3 mOhm | — |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ | 2.2 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V | 55 nC | — |
| Output Charge (Qoss) | 66 pF | — |
| Input Capacitance (Ciss) Typ | 4.3 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 69 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% tested) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 63 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 30 W |
| Technology | — | OptiMOS |
| RDS(on) max (typical reference) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction, typical) |
| عدد الأطراف | — | 8 |