BSC030N03LSGATMA1 vs BSC0906NSATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC030N03LSGATMA1 מאת Infineon ו BSC0906NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC030N03LSGATMA1 BSC0906NSATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 100 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C 23 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ 2.2 V —
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V 55 nC —
Output Charge (Qoss) 66 pF —
Input Capacitance (Ciss) Typ 4.3 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 69 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 —
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology — OptiMOS
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction, typical)
מספר פינים — 8

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר