BSC040N08NS5ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC040N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC052N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC040N08NS5ATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC040N08NS5ATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) | 121 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | 4 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 104 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | -55C to +150C |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Primary Application | Synchronous rectification in telecom and server power supplies | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |