BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC0902NSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC042NE7NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC0902NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC0902NSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 3 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55C to +150C (Tj) |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) @ VGS=10V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Qualification | — | JEDEC qualified for target applications |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free lead plating) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |