BSC050NE2LSATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC050NE2LSATMA1 بواسطة Infineon و BSC052N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC050NE2LSATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C | 39 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 5 mOhm | — |
| R_DS(on) typical at V_GS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 28 W | — |
| Technology | OptiMOS 25V (trench) | OptiMOS 5 |
| العلبة | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +150C |
| مستوى MSL | — | 1 (unlimited) |