BSC059N04LSGATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC059N04LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSZ130N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC059N04LSGATMA1 | BSZ130N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 73 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 16 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 1.2 V to 2.0 V (typ) | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | -55 C to +150 C (junction) |
| العلبة | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 25V / 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25 C) | — | 10 A |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | — | 35 A |
| On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V | — | 13 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA | — | 2.2 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 25 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial / Commercial (non-automotive) |