BSC076N04NDATMA1 vs BSC0901NSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC076N04NDATMA1 بواسطة Infineon و BSC0901NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC076N04NDATMA1 | BSC0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة / الحالة | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm typical |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.2 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge nC] |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C |
| العلبة | — | PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| مستوى MSL | — | 1 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |